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Samsung ha iniciado la producción en masa de su memoria flash V-NAND de novena generación. Esta memoria de nueva generación ofrece un aumento de rendimiento del 33% en comparación con la V-NAND de octava generación anterior.
Samsung comienza la producción en masa de V-NAND de novena generación TLC de 1 TB, mientras que QLC comienza en la segunda mitad de 2024
Tras la noticia de que hace unas semanas la memoria flash V-NAND de novena generación había entrado en producción en masa, también se esperaba el anuncio de la celda de memoria flash QLC, que almacena cuatro bits de información. En primer lugar, TLC NAND entrará en producción este mes y la producción en masa de QLC se llevará a cabo en la segunda mitad del año. También se ha informado que la V-NAND de novena generación tendrá más de 290 capas, pero Samsung aún no ha confirmado oficialmente esta información.
Samsung Electronics, empresa líder en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado la producción en masa de celda de tres niveles (TLC) de 1 Terabit (Tb) para memorias flash V-NAND de novena generación. Con este paso, la compañía pretende reforzar aún más su liderazgo en el mercado de las memorias flash NAND.
Samsung; Al tener el tamaño de celda más pequeño y la matriz más delgada de la industria, aumentó la densidad de bits de la V-NAND de novena generación en aproximadamente un 50 % en comparación con la generación anterior, al tiempo que aumentó la calidad y confiabilidad del producto con esta nueva tecnología. Además, el área plana de las celdas de memoria se ha reducido significativamente mediante la eliminación de falsos orificios de canal, junto con innovaciones como la prevención de interferencias celulares y la extensión de la vida útil de las mismas.
Además, la avanzada tecnología de «grabado de ranuras» de Samsung subraya el liderazgo de la empresa en capacidades de proceso. Esta tecnología crea rutas de electrones apilando capas de molde una encima de otra, mientras maximiza la eficiencia de producción al perforar simultáneamente la mayor cantidad de capas de células de la industria en una estructura de doble capa. A medida que aumenta el número de capas de células, la capacidad de penetrar un mayor número de células se vuelve importante, lo que requiere técnicas de grabado más avanzadas.
La V-NAND de novena generación está equipada con “Toggle 5.1”, la interfaz flash NAND de nueva generación. Esta nueva interfaz admite hasta 3,2 gigabits por segundo (Gbps), lo que aumenta las velocidades de entrada/salida de datos en un 33%. Con esta nueva interfaz, Samsung planea fortalecer su posición en el mercado de SSD de alto rendimiento ampliando el soporte PCIe 5.0.
Finalmente, gracias a las mejoras en el diseño de bajo consumo, el consumo de energía se ha reducido un 10% respecto a la generación anterior. Samsung, que comenzó la producción en masa de V-NAND de novena generación TLC de 1 TB este mes, también lanzará el modelo de celda de cuatro niveles (QLC) en la segunda mitad de este año.
